G3是采用鑄錠技術生產單晶的第三代升級，99%的晶體是單晶結構，電池客戶用常規工藝和PERC工藝驗證后獲得的光電轉換率比直拉單晶低0.5個百分點，其成本卻接近鑄錠工藝，比直拉單晶低得多。

上海SNEC展期間，保利協鑫發布全新一代鑄錠單晶產品“鑫單晶”G3。據發布會介紹，G3是采用鑄錠技術生產單晶的第三代升級，99%的晶體是單晶結構，電池客戶用常規工藝和PERC工藝驗證后獲得的光電轉換率比直拉單晶低0.5個百分點，其成本卻接近鑄錠工藝，比直拉單晶低得多。這引起市場熱議，G3量產會不會取代目前普及的直拉單晶?尤其目前直拉單晶價格高達6元/瓦以上，而多晶硅片價格已直逼4元左右，2元/片的價差，每片的功率都在4.5-4.9瓦之間不相上下，差距不足10%。

保利協鑫介紹鑄錠單晶G3具有“高產能、高效率、低成本、低光衰”優點。一個是轉換效率與直拉單晶相當。鑄錠單晶技術產出的同樣是晶向一致、位錯密度低的單晶，可與傳統直拉單晶一樣使用堿制絨工藝，因此轉換效率非常接近直拉單晶產品，并完全適用于PERC等高效電池技術，帶來更高的產品效率。數據顯示，G3在常規電池工藝、PERC高效電池工藝下與直拉單晶的效率差均小于0.5個百分點。更重要的是，99%的部分是這種晶向一致、位錯密度低的單晶。

第二個是光致衰減低，G3硅片繼承了鑄錠技術產品“光衰”較低的優點，氧含量僅為直拉單晶的一半，甚至優于常規多晶硅片，由此帶來的組件光衰顯著優于傳統直拉單晶。

第三是單片尺寸擴大。G3硅片比同樣邊長為156.75mm的直拉單晶硅片面積多出136mm²，這意味著封裝成組件時的損失更小，且更容易擴大尺寸，全壽命周期的實際輸出功率更高，可為應用端帶來實實在在的高收益。

第四是綜合成本優勢顯著。鑄錠一爐可上千公斤，其高產優于任何直拉四米，一爐四根、五根的直拉單晶工藝。鑄錠單晶的晶體結構可以直接匹配金剛線切割技術。保利協鑫沒有給出具體的成本數據，但據其稱，目前階段，成本只比鑄錠高一些，主要是熱場改造，運行參數方面比多晶嚴格。但成本一定比直拉單晶低很多，到底低多少，可參照的就是本周保利協鑫的金剛線切多晶在一片難求的情況下仍然定價4.2元/片。

據報道，這次發布會引來阿特斯、天合、晶澳、晉能、通威等行業大佬站臺。茂迪股份董事長張秉衡在發布會上為鑄錠單晶新品叫好，他同時抱怨說今年由于政策的原因導致單晶產品供應失衡，給業者造成了很大困擾，有大量新建的單晶電池、組件投資卻買不到硅片。

目前為止，不知道單晶廠家怎么看。