最后的批次加工或在線清洗系統(tǒng)
在最后的在線清洗系統(tǒng)中，硅片是在臥式系統(tǒng)中運(yùn)送和加工，用化學(xué)試劑清洗，同時(shí)加上不同的超聲墊組合。

工業(yè)生產(chǎn)中，最終清洗工藝步驟主要使用批加工類型的濕法化學(xué)清洗設(shè)備。RENA和其他供應(yīng)商提供最終清洗用的在線設(shè)備。這些設(shè)備的長(zhǎng)度一般為6-11米。在此系統(tǒng)中，殘留的碎片和微粒從硅片表面除去，最后一步是干燥工藝。結(jié)果得到干燥、沒有污跡的清潔硅片，可以用于電池片的第一個(gè)工藝（絨化）了。

硅片的表面質(zhì)量和機(jī)械性質(zhì)
切割工藝后，硅片表面必須從Si切口清洗。在切片工藝過程中，約50%的Si材料以Si微粒的形式損失了。這些硅微粒轉(zhuǎn)移到切割液中，因而使硅片表面沾污。約95-98%的微粒、雜質(zhì)和有機(jī)物在RENA預(yù)清洗系統(tǒng)中已經(jīng)除去。殘留的5-2%在最終清洗工藝中除去。

最終清洗工藝后，硅片表面通常用硅片檢測(cè)系統(tǒng)檢驗(yàn)。高分辨率檢測(cè)系統(tǒng)的表面分析能顯示硅片表面這種污染的殘留物。

S/FASW硅片的表面質(zhì)量
眾所周知，F(xiàn)ASW硅片工藝在工業(yè)化生產(chǎn)中有巨大的好處（切割物料損失的循環(huán)利用，增加線切割的產(chǎn)額和大大減少資本支出和運(yùn)營(yíng)成本），獲得產(chǎn)業(yè)越來越多的采用。

圖6顯示了漿料切割與FASW切割的單晶硅片之間污染的質(zhì)與量的不同。這些硅片的來源相同，因而是可比的。將漿料切片與FASW切片工藝的金屬污染做比較。金屬污染的量用電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)測(cè)量。

圖7顯示硅片表面的有機(jī)污染。用氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用方法(GC-MS)進(jìn)行測(cè)量。與金屬殘留物的結(jié)果相反，漿料切割的硅片的有機(jī)污染分量比FASW硅片要少。使用不同設(shè)備時(shí)，觀測(cè)到不同的清洗結(jié)果。最終要求一個(gè)可接受污染水平的通用指標(biāo)，現(xiàn)在應(yīng)由硅片和太陽能電池制造商合作開發(fā)。