被譽為「世界太陽能之父」的馬丁格林 (MartinGreen)博士14日在臺灣宜蘭表示，碲化鎘或CIGS等薄膜太陽能長期將面臨發展瓶頸，未來薄膜太陽能將以硅薄膜為主流。
 
位在澳洲新南威爾斯大學的太陽能光電中心，除了以硅晶太陽能創下光電轉換效率 25%的世界紀錄，為全球、尤其是亞洲太陽能名人的搖籃，同時也有研究各式各樣的太陽能，包括薄膜在內。

馬丁格林指出，碲化鎘(CdTe)的原料屬于有毒元素，而銅銦硒化鎵(CIGS)則多屬稀有元素，以環保和清潔能源為前提，長遠將面臨發展瓶頸；至于硅薄膜(Silicon TF)，由于材料硅取得容易，且相對環保安全，他認為未來也傾向往這方向發展。

馬丁格林進一步指出，目前一般熟悉的是非晶硅(a Si)薄膜或微晶硅薄膜，但他目前進行研究的是多晶薄膜 (poli-Si thin film)，技術層面不太一樣，而現在硅薄膜光電轉換效率最高10-11%，他的多晶薄膜在實驗室已作到12-13%，面積相對非晶硅薄膜要更小一些。

回顧過去太陽光電研究的歷程，馬丁格林表示，確實不斷面臨許多瓶頸，除了一一克服，硅晶太陽能光電轉換效率也逐步接近理論最高值 29%，此外，如何將這些研究結果商業化，會是他努力的方向。