· 全新Endura® Volta™系統(tǒng)獨特的鈷制程可減少互連的瓶頸，助力摩爾定律的延續(xù)

· 鈷制程兩項突破性互連應用支持下一代高性能、低能耗芯片

· 工業(yè)界首次應用選擇性化學氣相沉積（CVD）金屬制程，展示了應用材料公司在精密材料工程中的領導地位

2014年5月13日，加州圣克拉拉——應用材料公司推出Applied Endura® Volta™ CVD Cobalt 系統(tǒng)，這是現(xiàn)今唯一一款在邏輯芯片銅互連工藝中能夠通過化學氣相沉積實現(xiàn)鈷薄膜的系統(tǒng)。鈷薄膜在銅工藝有兩種應用，平整襯墊（Liner）與選擇性覆蓋層（Capping Layer），將銅互連的可靠性提高了一個數(shù)量級。這一應用是15年來銅互連技術材料方面最顯著改變。

應用材料公司執(zhí)行副總裁兼半導體事業(yè)部總經理Randhir Thakur博士指出：“對于器件生產商來說，芯片中連接著上億個晶體管線路，連線的性能與可靠性是極其重要的。隨著摩爾定律的推進，線路尺寸越來越小，減少影響器件工作的空隙與防止電遷移失效就顯得更加必要”。基于應用材料公司業(yè)界領先的精密材料工程技術所建立的Endura Volta 系統(tǒng)，可通過提供以CVD為基礎的平整襯墊與選擇性覆蓋層，克服了良率極限，幫助我們的客戶將銅互連技術推進到28納米及以下。

基于Endura Volta CVD系統(tǒng)的鈷工藝包括兩個主要的工藝步驟。第一步是沉積一層平整的薄鈷襯墊膜，相對于典型的銅互連工藝，鈷的應用可為有限的互連區(qū)域填充銅提供更大的空間。這一步驟通過在同一平臺，超高真空下整合預清洗（Pre-clean）/ 阻擋層（, PVD Barrier）/ 鈷襯墊層（CVD Liner）/ 銅種子層（Cu Seed）制程，以改進器件的性能與良率。

第二個步驟在銅化學機械研磨（Cu CMP）之后，沉積一層選擇性CVD 鈷覆蓋膜，改善接觸界面，進而提高器件的可靠性，可達到80倍。

應用材料公司副總裁兼金屬沉積產品事業(yè)部總經理Sundar Ramamurthy博士指出：“應用材料公司獨特的CVD 鈷制程是一種基于材料創(chuàng)新的解決方案。在近十年的開發(fā)中取得的這些材料與制程的創(chuàng)新，正在被我們的客戶接受并用于制造高性能移動與服務器芯片。

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