2013年10月12日，中科院前沿局組織專家在中科院嘉興對微電子所承擔的院知識創(chuàng)新工程重要方向項目“等離子體浸沒離子注入制備黑硅及太陽電池技術研究”進行了現場驗收。專家組由來自上海交通大學、中山大學、浙江大學、蘇州納米所等八家單位的專家組成。前沿局劉桂菊副局長、微電子所陳大鵬副所長、項目負責人夏洋研究員及項目組骨干等出席了會議，會議由前沿局技術科學處趙慧斌副處長主持。

該項目創(chuàng)新性地采用等離子體浸沒離子注入方法制備黑硅，制備的多晶硅片反射率低至1%（在可見光波段內），表面微觀結構和反射率可控。通過系統研究，研制的多晶黑硅電池轉換效率最高達18.3%。小批量試產表明工藝穩(wěn)定。

專家組認真聽取了項目負責人的匯報，審閱了項目組提交的驗收材料，經過充分討論、質詢和評議后，一致同意該項目通過驗收，并對項目組取得的研究成果給予高度評價，認為該項目的完成將對現有晶硅太陽能電池生產線實現升級優(yōu)化，提升我國太陽能電池裝備領域的技術水平，將為我國光伏產業(yè)進一步發(fā)展、升級提供必要的技術積累，具有前瞻性和深遠的戰(zhàn)略意義。