開發SOI（Silicon On Insulator）晶圓技術的美國Silicon Genesis公司2008年7月11日宣布，成功研制出使用“PolyMax”晶圓工藝技術的太陽能電池底板。該公司將使用該技術，涉足太陽能電池晶圓市場。

利用PolyMax技術制造的厚50μm的125mm晶圓

　　利用PolyMax技術的晶圓制造設備，除消除切割損失，大幅減少將硅錠切割成晶圓的工序中多結晶硅的使用量之外，還能夠在晶圓制造過程中省去部分費用較大的耗材。另外，該公司表示，用該設備以單結晶硅制造高效太陽能電池單元，還有望緩解原材料――多結晶硅的短缺狀況。

　　該公司此次制造了厚50μm的125mm晶圓樣品。還計劃在2009年春季之前，利用PolyMax晶圓工藝技術，啟動將硅錠切割成厚50～150μm的晶圓的試驗生產線。

　　該公司預定在2008年9月1～5日于西班牙舉辦的“23rd European Photovoltaic Conference”上，公開PolyMax晶圓工藝技術及其設備的詳細情況。