產業調查機構Strategy Analytics指出，對于開發化石燃料以外的替代能源需求益發殷切，催生了地面太陽能(terrestrial photovoltaic)的快速發展，而其中的高聚光型太陽能(High Concentration Photovoltaic, HCPV)技術，更是為III -V族化合物半導體產業打開了新的機會。根據Strategy Analytics的預估，從今年到2016年的未來5年內，HCPV產業規模將維持75%的年復合成長率，瓜分目前以矽晶為主的太陽能市場。

Strategy Analytics指出，今年全球的地面太陽能市場總產值估逾800億美元，而傳統以矽晶為基礎(Si-based)的產品仍是最主流的技術，占地面太陽能產業總值約82%。根據Strategy Analytics的預估，到2016年全球地面太陽能市場將達到1000億美元規模，等于約以10%的年復合成長率穩健向上。

然而值得注意的是，Strategy Analytics認為??，目前被矽晶技術宰制的市場現況，將面臨以砷化鎵(GaAs)材料為主的化合物半導體技術、以及薄膜(Thin film)半導體的強勁挑戰，到了2016年，矽晶技術占地面太陽能市場總產值的比重，將從目前的82%下滑到約74%。

相較之下，根據Strategy Analytics的預估，2016年時HCPV太陽能技術占地面太陽能產業的總值，將從目前僅不到1%快速拉抬到近5%，相當于75%的年復合成長率。

Strategy Analytics指出，盡管III-V族HCPV技術在提升光電轉換效率方面展現了較矽晶更優越的競爭力，長久以來卻因為單位發電成本高昂等因素，而導致裝機量遠遠落后于矽晶太陽能系統。隨著III-V族HCPV廠商成功建立技術與產業的供應鏈，成本已獲得大幅度的控制，HCPV與矽晶的單位發電成本差距正在急速縮小。

砷化鎵(GaAs)對于太陽光頻譜反應度高，使其擁有高達70%以上的理論光電轉換效率，在實驗室中的轉換效率達50%，而商業量產轉換效率也已近40%左右，是目前的HCPV主要材料技術。

目前包括美國、日本都有大規模建置HCPV電廠的計畫，以美國來看，裝設中的HCPV電廠就有逾300MW(百萬瓦)產能，到2013年更將擴充到1GW(10億瓦)；而日本則規劃在2015年前設置22座全太陽能電廠，由于HCPV技術需要土地面積較小，對于地狹人稠的日本而言，將是相當有效益的解決方案。