三菱電機在太陽能電池國際會議“PVSEC-17”上，發布了將多晶硅單元轉換效率提高至18％的成果。這是由官方認證機構――產業技術綜合研究所的測量結果。“為標準電極構造中的最高數值。優點是可使用現有生產線制造”（該公司）。除三菱電機外，京瓷使用背接觸構造將多晶硅單元的轉換效率提高到了18.5％。

　　三菱電機曾在2000年的國際會議上發布過將多晶硅單元轉換效率提高至16.8％的成果。此次，首先通過控制表面凹凸的RIE Texture技術，將轉換效率提高至17.3％；在此基礎上再用氫不飽和鍵(Dangling Bond)加成技術將其提高至17.7％；最后通過減少布線面積將其提高至18％。

　　RIE Texture技術采用直徑為3μm的硅粒子作掩膜，通過蝕刻在晶圓表面形成數μm的凹凸。由于是在晶圓上涂布含硅溶液，以自組織方式排列硅，形成掩膜的成本得以削減至最低。

　　氫加成技術和電極面積縮減技術已經應用于部分量產產品。RIE Texture技術將在新引進的生產線上使用。另外三菱電機宣布，計劃在2010年之前將年產能提高至250MW。