據thelec報道，最近完成分拆的OCI將擴大半導體多晶硅的生產，通過與日本德山（Tokuyama）建立合資企業以及投資群山工廠的后處理設施實現。OCI制定了到2027年將半導體多晶硅銷售額擴大到8000億韓元的目標，相比去年將把半導體多晶硅銷售額翻兩番（2022年為2190億韓元）。

業內人士表示，OCI正在推動與日本德山設立擴大半導體多晶硅生產的合資企業，進展順利。今年5月，OCI與日本高科技材料公司德山簽署諒解備忘錄，在馬來西亞建立半導體多晶硅合資企業，計劃于明年上半年成立。2027年起，年產半導體用多晶硅半成品將達1.1萬噸。

馬來西亞生產的半成品在群山工廠進行最后加工。為此，OCI決定在群山工廠增建設施，到2026年底可對5000噸半成品進行后處理。

OCI著手建立半導體多晶硅合資企業的原因是全球晶圓制造商計劃擴建其設施。業內預計，2026年半導體多晶硅需求將相比2022年增長50%以上。

OCI群山工廠是其主要生產基地，每年生產4700噸半導體11-12 N高純多晶硅。多晶硅用于制造硅片，硅片是半導體的原材料。半導體多晶硅比太陽能多晶硅（10-N多晶硅）要求純度更高。即使在全球范圍內，擁有半導體多晶硅生產技術的企業也僅有幾家：OCI、德國瓦克（Wacker）、美國赫姆洛克（Hemlock）、日本德山等。

據了解，在半導體多晶硅市場，中國產品導致供應過剩的風險明顯低于太陽能多晶硅。除了半導體晶圓制造商的使用許可外，作為最終客戶的半導體公司的使用許可也很重要。此外，與太陽能多晶硅市場相比，價格更穩定。

業內人士表示，“中國企業的半導體多晶硅目前正部分評估，并且僅由國內晶圓制造商使用。似乎僅限于小直徑以下半導體晶圓。”

除多晶硅外，OCI還將擴大磷酸、過氧化氫和六氯乙硅烷（HCDS）等現有產品，并爭取新客戶。磷酸和過氧化氫分別是用于蝕刻和清潔半導體的材料。HCDS是一種用于薄膜沉積的前驅體。半導體用過氧化氫的生產技術已得到保障，OCI已經向日本NAND閃存公司鎧俠供應過氧化氫。

OCI相關人士表示，“預計2027年半導體多晶硅銷售額將增長到近8000億韓元。除了多晶硅之外，我們還將繼續積極投資磷酸、過氧化氫、HCDS等半導體材料，以實現到2027年銷售額達到1.1萬億韓元。”