當去年Microsemi(美高森美)收購Actel(愛特)之時，業(yè)界普遍關注的是二者在安全與國防上的交集，很多人不知道的是，合并后二者第二大業(yè)務領域是工業(yè)。如今，Microsemi憑借四條完整的產(chǎn)品線(分立器件、模擬與RF/ICS、SoCs以及子系統(tǒng))全面高調(diào)進軍工業(yè)領域。

Microsemi第一步的選擇是進入太陽能領域，這個出發(fā)點相當正確，根據(jù)IMS Research的預計，截至2016年能源市場的年化增長率將達到13.7%，是工業(yè)領域增長最快的細分市場。Microsemi的四條產(chǎn)品線恰好能覆蓋太陽能技術，具體如下：

太陽能旁路二極管用于獲取電能

LX2400 IDEAL™太陽能旁路器件采用Microsemi專利CoolRUN™技術，在光伏模塊應用中提供一個旁路通道。該器件具有業(yè)界最低的正向電壓降，可在工作期間實現(xiàn)極低的發(fā)熱和溫升。LX2400具有同級最佳的可靠性和穩(wěn)健性，用于需要經(jīng)由模塊接線盒獲得10A或更高電流的應用。

Microsemi新型肖特基勢壘光伏旁路二極管是世界上最薄的型款，其厚度僅為0.74 mm，可讓客戶將其集成在玻璃下面，省去接線盒。這超薄尺寸旁路二極管也可以用于縮減接線盒尺寸。SFDS系列10A二極管是專為太陽能面板而設計的，采用獨特的靈活的銅質(zhì)引腳，具有經(jīng)過衛(wèi)星應用驗證的高可靠性。

Microsemi除了提供上述的獨特封裝之外，還提供采用軸向、表面安裝和通孔安裝的廣泛的肖特基旁路二極管，其標準電流范圍是10A至18A，電壓范圍為20 V至45 V，并同時提供設計和構建選項，提供電流高達60 A和電壓高達200V的定制器件。

SmartFusion和IGLOO FPGA用于功率管理和控制

Microsemi SmartFusion混合信號FPGA和IGLOO低功耗FPGA采用基于快閃技術的架構，是幫助逆變器設計人員實現(xiàn)效率最大化，以及在較小的占位面積中集成板級功能的理想選擇。功能和算法包括更多數(shù)量的PWM狀態(tài)機，最大功率點追蹤(MPPT)和功率因數(shù)校正(PFC)等，可在嵌入式32位ARM® Cortex™-M3或邏輯門之內(nèi)進行劃分，以適合各種設計需求。Microsemi夏明威表示，使用低功耗FPGA，相比較DSP而言，使用的是硬件編程，因此功耗更低，性能也有相應的提高，并且更可靠。

IGBT, MOSFET, FRED和DC-DC轉換器用于功率監(jiān)控

新型600 V CoolMOS™ C6器件采用第五代高電壓超級結技術，實現(xiàn)極低的傳導和開關損耗，可實現(xiàn)具有更高效率和功率密度水平的開關系統(tǒng)設計。

由于傳導損耗則在總體系統(tǒng)損耗方面占據(jù)主導地位，新型MOS 8™ IGBT已經(jīng)針對低工作頻率(10 KHz — 30 KHz)而優(yōu)化。MOS 8 PT IGBT產(chǎn)品系列則在2.0 V (600 VBR(CES)) 和2.5 V (900 VBR(CES))下提供低傳導損耗特性。

Microsemi除了提供具有多種功率模塊電氣和機械配置的功率半導體產(chǎn)品之外，還提供IGBT、MOSFET和FRED，推動實現(xiàn)更高效的新型轉換器拓撲，如三級逆變器、交錯式PFC升壓轉換器及矩陣轉換器。并且，IGBT等模塊還可以進行定制化的封裝。

此外，Microsemi不斷擴大的DC/DC產(chǎn)品系列支持高達40V的輸入電壓，以及最高40A的廣泛輸出電流范圍。該系列器件包括內(nèi)置功率FET的開關調(diào)節(jié)器，以及采用外部功率FET并可在最高2 MHz頻率下運作的控制器。

FPGA用于功率監(jiān)控

SmartFusion智能混合信號FPGA在單一IC平臺上集成了模擬前端、嵌入式ARM Cortex-M3處理器和可編程邏輯資源。這一靈活性為設計人員提供了開發(fā)低功耗的可適配平臺的能力，能夠精確地監(jiān)控實時負載數(shù)據(jù)，同時滿足多種安全連接性協(xié)議的要求，畢竟現(xiàn)階段，通信標準尚未確定，因此使用更靈活的FPGA可以有效地避免此類問題。

夏明威表示，除了太陽能之外，由于產(chǎn)品采用了FPGA可配置器件，因此該套方案完全可移植至其他新能源產(chǎn)品應用上，并且也為此推出了全面的參考設計方案。另外，他透露Microsemi也在準備將全面產(chǎn)品線拓展至馬達控制等市場應用中。