10月15日，中來對外宣布其最新研發結果出爐，基于新一代隧穿氧化層和無繞鍍原位摻雜非晶硅沉積的鈍化接觸技術制造的J-TOPCon 2.0電池，其量產平均效率可以實現24%以上，良率達到97%以上。

中來股份董事長林建偉對J-TOPCon2.0技術的應用和發展非常有信心，他表示：“這次TOPCon技術的進步是我們多年夢寐以求的目標，我非常激動中來能夠引領行業，把TOPCon制造技術推向一個新的高度。我們愿意一起跟同行分享這個新技術，為高效太陽能電池的生產普及做貢獻。”


中來TOPCon 1.0制造工藝和技術是基于N 型硅片，通過隧穿氧化層和摻雜多晶硅實現鈍化接觸，大幅度提高電池效率。經過多年研發和生產調試，中來量產效率雖然達到了世界領先的23.5%+，但是由于隧穿氧化層通過高溫氧化， LPCVD沉積非晶硅，離子注入摻磷，并經高溫退火，多晶硅繞鍍清洗等多道工序完成。相比于PERC電池量產，生產成本和良率是長期困擾的難題。

此次J-TOPCon 2.0新技術是與江蘇杰太光電技術有限公司合作，利用其獨創的線性等離子源技術，共同開發了一套全新的POPAID技術 (Plasma Oxidation & Plasma Assisted Insitu-doping Deposition)，等離子氧化及等離子輔助原位摻雜技術。POPAID利用鏈式平臺傳輸載板，能夠在不破真空情況下同時完成隧穿氧化和摻雜非晶硅沉積，真正做到無繞鍍。POPAID技術是全新的中國創新概念和技術，他是在光伏電池制造領域難得的中國原創、世界領先的鍍膜概念。

POPAID設備上實現了多項創新工藝，其中等離子氧化硅的形成（PO）對表面沒有損傷、而且鍍膜厚度在0.1nm精度范圍，真正實現了亞納米鍍膜工藝控制。和常規高溫氧化相比，隧穿鈍化效果更加優越。

達到表面鈍化和接觸選擇性同時提升的效果，均勻性更佳。對于摻雜非晶硅鍍膜（PAID）工藝，該設備采用等離子強化的鍍膜工藝，實現摻雜的非晶硅膜沉積，退火后摻雜濃度可高達4×1020原子/cm3，是常規離子注入濃度的一倍以上。經兩道工藝的整合，J-TOPCon 2.0電池效率超過常規離子注入0.2%以上，開路電壓（Voc），填充因子（FF）均有提升。良率也可提高2%。

POPAID裝備技術使一臺設備可以替代現有管式高溫氧化、管式LPCVD，離子注入去繞鍍清洗四道工序的四臺設備，量產設備產能達到8000片/小時。

中來稱，由于利用POPAID 技術使原來TOPCon 12道制造工序縮短到9道工序。這不僅提升電池效率，而且提升生產良率和降低生產成本，可跟高效PERC電池工藝流程相媲美。可以說，J-TOPCon 2.0為新一代高效TOPCon電池的量產推廣鋪平了道路，這是對TOPCon技術的一次革命性貢獻。