根據(jù)IHS最近發(fā)布的2017年全球功率半導(dǎo)體市場份額報告，全年全球功率半導(dǎo)體市場體量是185億美金，同比增長13.1%，達(dá)到自2010年以來的最大值，這主要來源于全球半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇，特別是中國市場的快速崛起。另外，英飛凌一家獨(dú)大，這主要體現(xiàn)在兩個方面。一是，占據(jù)18.6%的份額，達(dá)到33.41億美金（約是第二名的兩倍），同比增長16.8%。二是，在細(xì)分的功率MOSFET、IGBT分立器件、標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊市場份額均全球第一。

下面我們來看一看排名前五的公司都有哪些？（數(shù)據(jù)來源于HIS）

分立IGBT器件領(lǐng)域的前五強(qiáng)占據(jù)全球該領(lǐng)域約70%的市場份額，它們分別是英飛凌（Infineon，德國）、安森美（On Semiconductor，美國）、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，意法）、三菱（Mitsubishi，日本）和東芝（Toshiba，日本）。其中英飛凌獨(dú)占38.5%的銷售額，比排名第二至第四的總和還要高出約7個百分點(diǎn)，彰顯了英飛凌在此領(lǐng)域的絕對控制權(quán)。


標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊領(lǐng)域的前五強(qiáng)占據(jù)全球此領(lǐng)域約77%的市場份額，它們分別是英飛凌、三菱、安森美、東芝和意法半導(dǎo)體。除排名第一的仍然是英飛凌外，排名第二至第四的廠商雖然與分立器件相同，但名次卻完全不同。在模塊領(lǐng)域三菱的表現(xiàn)更為顯眼，排名第二。在標(biāo)準(zhǔn)模塊領(lǐng)域英飛凌的市場份約是33.9%，僅比第二名高出約7個百分點(diǎn)，在此領(lǐng)域的控制權(quán)遠(yuǎn)遠(yuǎn)弱于IGBT分立器件。


數(shù)據(jù)來源：

IHS和英飛凌年報

IGBT人