2010年5月18日公司公告非公開發行6000萬到9000萬股，其中，控股股東中環集團將認購10-20%的股份。計劃募集資金不超過11億元，其中1億元用于IGBT及光電子器件用區熔單晶硅項目，8億元用于太陽能電池用硅單晶二期。

項目實施后將形成區熔單晶硅產能36噸/年，預計達產后平均利潤總額3467萬元。公司在區熔硅領域具有個國際競爭力，規模全球第三，國內市場占有率超過70%。區熔硅主要應用領域在于電力電子領域，受到新能源和節能減排的推動，市場需求一直穩定增長，我們預計國內市場增長速度將保持在30%，我們認為公司區熔硅2010年和2011年將分別增長50%和30%。此外，歷史上公司的區熔硅盈利豐厚并比較穩定。太陽能硅材料生產方面公司已經達到國際領先水平。公告稱其直拉晶體生長投資較目前國內同行業低33%以上，生產效率較目前國內同行業提高60%以上，而生產成本較目前國內同行業降低了25%以上，根據目前行業內通常的成本結構測算，公司的毛利率應至少具有10個百分點的優勢。

中環光電一期目前形成的硅單晶年產能為110MW，其中硅晶片年產能50MW。二期實施將新增390MW/年晶體產能（其中單晶增加290MW，鑄錠多晶增加100MW）、晶片產能150MW/年，并形成了內部石英坩堝配套。項目建成后共具有晶體年產能500MW（其中單晶400MW，多晶 100MW）、晶片年產能200MW，等效400MW/年石英坩堝的生產能力。目前太陽能硅片的價格約為5.6元/瓦，以此測算100MW硅片對應銷售收入為5.6億元，項目實施將使公司的銷售收入急速增長。

由于1期項目已經有比較富余的配套投資，我們估計2期項目的實施時間應該可以明顯少于公告的18個月，具體時間取決于公司對于市場形勢的判斷，也取決于公司對自身優勢的判斷。值得注意的是公司同時公告了將為中環光電（太陽能項目的具體實施者）申請銀行貸款3億元提供擔保，由于目前太陽能硅片銷售非常通暢，我們預計資金將由富余，并可能使2期項目更快啟動。

MOSFET生產線和拋光片目前都還在爬坡期中，我們預計10年4季度將進入平衡點，在2011年貢獻利潤。增發項目將大大提升未來增長預期，我們初步估計2010-2011年每股收益分別為0.20元和0.60元（不考慮攤薄），明顯相對低估，建議增持，詳細地分析參見我們隨后的研究報告。