準單晶主要面臨兩個問題：位錯和單晶率

主要以技術工藝角度來闡述，不涉及設備，希望給同仁們如何降低位錯的得高單晶率帶來一定思考

1、位錯主要來源籽晶隱性裂紋，在長晶過程中會放大。

為規避裝料過程的擠壓帶來隱性損傷及裂紋，可以采用雙層籽晶的形式。多加一層可以是多晶的，最下面籽晶層一定是單晶硅，融化過程直接融到引晶層。在這個基礎上長晶就可以了。

2.坩鍋側壁雜質和凹凸不平點形成多晶核，兩種方案來應對。

第一、近坩堝壁側用小籽晶塊的形式，主要是把形成的多晶硅通過長晶位錯的形式檔在外邊。

第二，現有的坩堝表面的光潔度不夠，可以建議拋光打磨處理，避免因表面顆粒易造成多晶成核。

3.界面一定要保持凸形，帶來的好處有二

第一：從中心長晶的好處，中心單晶率較高，從中心往四周長基本上會長出單晶來，收益和良率都會得到保證。

第二 減小和規避因側壁或者坩堝壁的凹凸點和小雜質點形成多晶核，導致在多晶基礎上長晶，必然多晶率增加。

4.坩堝形狀

因長方形坩堝原因，坩堝邊極其容易形式多晶。所以使用圓形坩堝是極好的，如果還想提高單晶質量，最好使用圓底或者菱形底坩堝。

5.長晶速率及其它參數一定不要參考多晶硅

第一 多晶硅的長晶速率1.5-2.3mm/min范圍內，而單晶硅的長晶速率1-1.3mm/min,很多搞準單晶都是多晶出身，相當然參考多晶硅的速率，有點不靠譜。

第二 單晶硅人員搞準單晶都比鑄錠人員自己搞準單晶經驗更有用一些。

第三 長晶速率慢是極好的

做到以上幾點得率能到60%以上。